ams AS5951 CT Sensor Chip

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描述

AS5951是一款用于32层CT检测器的传感器芯片，将光电二极管和读取电路集成在单个CMOS芯片上。该传感器解决方案包括一个具有超低暗电流的光电二极管阵列和一个并排的128通道ADC，可将像素点阵列装配在器件的三个相邻边缘上。通过在Z方向上放置两个AS5951 IC，实现32层检测器的设计，以优化CT机的成本。

AS5951在Z方向上的传感器尺寸为15.615 mm，高分辨率模式下的像素尺寸为0.98×0.98 mm²。在低剂量模式下，两个像素点连接到一起，尺寸为0.98×1.96 mm²，由于只有一半的ADC通道处于活动状态，因此该模式可降低功耗。像素尺寸可以按要求定制。该传感器可以通过引线键合工艺直接组装在基板上，用于制造CT模组。

由于光电二极管上的偏置电压接近零，因此最大暗电流仅为1pA，从而提高了低剂量性能。在高分辨率模式下，输入相关噪声非常低，输入电流范围为200 nA时，典型噪声为0.21 fC。

在高分辨率模式下，每个器件的最大功耗为128 mW，在低功耗模式下为67.2 mW，从而减少了自热效应，降低了冷却系统的总成本。内部参考电压和偏置发生器减少了材料成本。AS5951采用片上光电二极管，为32层CT检测器提供了成本优化的解决方案。

可以通过SPI接口访问数字数据读取。它还用于配置操作模式、输入电流范围、参考电压选择和启用校准模式等参数。 集成的温度传感器可监测结温。 
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AS5951 DS001042
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特点

  • 128通道ADC和光电二极管阵列单片集成于一个器件中；光电二极管自动零偏置电压校准，可实现超低暗电流；集成参考电压和偏置电流发生器，能够降低材料成本；实现两种工作模式：高分辨率模式和低剂量模式；可按要求定制像素尺寸

优势

  • 超低暗电流，最大为1pA；最低输入相关噪声，典型值为0.21fC；集成时间非常快，快至200µs；低功耗，在高分辨率模式下，每通道最大功耗为1mW；包括光电二极管在内的ADC线性度为±600ppm

产品参数

通道
输入
128
Integration time
最小值
200 µs
Input related noise
典型值
0.21
Power consumption per channel
最小值
0.82 mW
分辨率
25 bit
封装
die-on-foil
Function
x-ray sensing

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AS5951 DS001042

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AS5950是一款用于16层CT检测器的传感器芯片，将光电二极管和读取电路集成在单个CMOS芯片上。该传感器解决方案包括一个具有超低暗电流的光电二极管阵列和一个并排的64通道ADC，可将像素点阵列装配在器件的三个相邻边缘上。通过在Z方向上放置两个AS5950 IC，实现16层检测器的设计，以优化CT机的成本。Z方向的传感器总尺寸有16或32 mm可选，支持两种工作模式。自适应阵列概念可在检测器上选择高分辨率或大尺寸传感器。像素尺寸可以按要求定制。现有标准产品的像素尺寸为0.98×0.98 mm²。该传感器可以通过引线键合工艺直接组装在基板上，用于制造CT模组。由于输入相关噪声非常低，因此可以实现卓越的图像质量。在高分辨率模式下，包括光电二极管在内的典型噪声低至0.20 fC。这一超低噪声系数源于光电二极管的小电容，以及光电二极管与其对应ADC通道之间互连的极低寄生电容。每通道的低功耗（典型值为0.65 mW）减少了自热效应，降低了冷却系统的总成本。数字数据读取可通过SPI接口访问，同时也用于配置像素分辨率、输入电流范围、活动传感器区域和启用校准模式等参数。集成的温度传感器可监测结温。AS5950采用片上光电二极管，提供了一种成本优化的解决方案，以箔片封装形式交付。
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