硅通孔（TSV）技术
引领新一代光学与传感创新
TSV技术：先进传感器制造中实现微型化与高性能的核心差异化技术
基于在180nm及350 nm平台数十年的混合信号CMOS技术积累，艾迈斯欧司朗已在其奥地利Premstaetten生产基地将新一代硅通孔（TSV）技术整合至180 nm生产体系，成为其不可或缺的核心环节。
凭借成熟的后段TSV工艺及深厚的光学 传感技术积淀，该TSV平台现已升级至180nm制程节点，能够实现更小的器件尺寸、提升电气性能，并实现与高 端干涉滤光片的无缝集成。此首创性工艺布局为高性能微型化光学与传感产品奠定了坚实基础，同时强化了欧洲在高 端半导体制造领域的核心竞争力。
艾迈斯欧司朗现已开发出兼容180nm CMOS制程节点并集成干涉滤光片技术的新型TSV技术。
其具备以下优势：
- 通过显著缩减芯片面积优化芯片尺寸，提升单晶圆芯片产出数量及功能密度
- 增强电气性能
- 减少材料与能耗，改善生态足迹
- 突破微型化瓶颈，赋能新 一代光学产品
右侧图示展示了典型的TSV芯片结构。
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硅通孔技术：为何成为新一代传感器集成的核心支柱
硅通孔（TSV）是一种垂直穿透硅基板的电气互连结构。该架构能缩短信号路径，显著抑制寄生效应，从而实现极低噪声、更低功耗及更优热特性。TSV技术已在众多产品和市场中成为关键赋能技术：
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工业与消费电子：光谱传感器、紫外传感器与颜色传感器充分发挥TSV的紧凑型结构优势及卓越电气特性。
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医疗成像：CT检测器通过TSV技术实现超高速、低噪声的信号传输。
相较引线键合或倒装芯片等传统封装工艺，基于TSV的器件可实现30%-70%的尺寸缩减，提供更优电气性能并减少电磁干扰。艾迈斯欧司朗的TSV后通工艺采用成熟CMOS制程步骤，同时省去玻璃承载晶圆，从而消除寄生反射并最大化传感器效率。基于100µm和80µm孔径的成熟TSV平台，具备高可靠性及强机械稳定性，是先进传感应用的理想解决方案。
核心优势概览：
- 借助垂直布线与紧凑型3D集成，实现更纤薄的产品形态
- 更优性能：信号传输更快、带宽更高、寄生效应更低
- 互连路径缩短，功耗降低
- 热特性与可靠性提升，满足汽车及医疗级应用要求
- 更高集成度：在更小空间融合更多功能（CMOS + 滤光片 + TSV
- 全流程自主CMOS/TSV/滤光片加工，提供一站式服务
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