全方位晶圆代工服务：如何获取多项目晶圆服务，助力集成电路原型设计
艾迈斯欧司朗正式面向新老客户推出全方位晶圆代工服务。即日起，我们诚挚邀请各大芯片设计公司体验艾迈斯欧司朗的集成电路（IC）代工服务，进行IC原型设计，共享晶圆制造服务。该服务也被称为多项目晶圆（MPW）晶圆共享，您可以享受共享晶圆制造带来的成本优势及其他优势。2024年的服务计划表已公布，您可以通过下述简化流程进行申请。
多项目晶圆服务将不同客户的多种设计需求集成到单片晶圆设计上。由于晶圆和掩膜的成本由各个多项目晶圆客户均摊，因此该服务可有效降低艾迈斯欧司朗代工厂客户的成本。艾迈斯欧司朗MPW服务提供180 nm和0.35 μm全范围的专业工艺，包括最近推出的180 nm CMOS技术（“C18”）。
该项服务的实现得益于全球合作伙伴的支持，其中包括CIME-P（前身为CMP）和Fraunhofer IIS（通过EUROPRACTICE欧共体计划）。亚太地区和中国区的客户也可以通过当地MPW项目的合作伙伴MEDs Technologies使用该服务。
180 nm CMOS技术——适用于多种应用的传感器/传感器接口器件
C18工艺支持多种1.8V和3.3V NMOS和PMOS器件，包括基于衬底、浮动、低漏和高阈值电压多种选择，以及经过完整验证的无源器件，比如各种各样的电容器。经过占位面积优化的高密度和低功耗数字库，其密度可达125kGates/mm²，数字和模拟输入输出库更新后同时拥有多达六个金属层。静电放电（ESD）保护单元达到8kV HBM级别。C18工艺广泛应用于传感器和传感器接口器件。2024年度的所有MPW将在位于奥地利的领先200 mm晶圆制造工厂进行生产，以确保缺陷密度最低化和高产量。
0.35 μm CMOS / 嵌入式闪存技术——适用于汽车和工业的高电压设计
2024年，除C18的MPW服务外，艾迈斯欧司朗还将提供0.35 μm专业工艺的MPW服务。艾迈斯欧司朗0.35 μm高压CMOS工艺系列专为汽车和工业应用中的高电压设计进行了优化，该系列支持20V、50V和120V的器件，并提供真正的电压可拓展晶体管。先进高压CMOS工艺具备可嵌入EEPROM功能，与CMOS基础工艺完全兼容，使艾迈斯欧司朗MPW服务有了更完整的解决方案解决方案。
如何快速启动复杂高性能混合信号集成电路（ICs）的设计？
为确保MPW服务顺利开展，请代工厂客户务必在指定的日期前提交完整的GDSII数据（详情参阅表格）。客户将很快收到未经测试的封装样品或芯片，一般情况下，CMOS工艺周期为10周、高压CMOS和嵌入式闪存工艺周期为12周。
所有工艺技术均得到了知名的hitkit设计环境的支持，在使用Cadence的Virtuoso® Custom IC Technology的基础上，采用艾迈斯欧司朗行业基准工艺设计工具包（PDK）。hitkit提供了全面的硅认证标准单元、外围电路单元库和通用模拟元件，如比较器、运算放大器、低功耗模数和数模转换器。定制的模拟器件、适用于PVS/Pegasus和Calibre的物理验证规则集，以及具有精确特性的Spectre Simulation Platform电路仿真模型，均有助于复杂高性能混合信号集成电路设计快速启动。除标准的原型制作服务外，艾迈斯欧司朗还提供先进的模拟IP模块、存储器（RAM/ROM）生成服务和陶瓷或塑料封装服务。
艾迈斯欧司朗致力于提供高品质和高可靠性的全方位晶圆代工服务：
在测试汽车、工业和医疗应用领域，艾迈斯欧司朗拥有四十年的专业知识及经验，为客户提供CMOS和光学滤波器的一站式服务。选择艾迈斯欧司朗代工服务，将助您在传感器和传感器接口领域取得市场领先地位。如有相关需求请联系我们，让我们为您提供优质的专业服务。