艾迈斯欧司朗推出slow-and-wide AI光互连用超高效微型LED阵列并推进产品开发进程

奥地利Premstaetten /德国慕尼黑（2026年3月18日）——艾迈斯欧司朗将其成熟的EVIYOS 微型LED阵列技术升级应用于新一代slow-and-wide AI光互连解决方案，在高速运行下实现超低功耗性能，并正式推进产品开发。

艾迈斯欧司朗首席执行官Aldo Kamper表示：“凭借EVIYOS™技术，我们已实现高度像素化汽车前向照明用微型LED阵列的规模化量产。作为数字光电技术领导者，公司现正运用该专长解决AI基础设施的关键瓶颈，即AI服务器机架间及内部数据链路的功耗问题。此项突破使我们强势切入AI基础设施的高增长细分市场。”

卓越能效赋能AI数据中心互联
新型微型LED阵列原型采用专有外延堆叠技术，具备以下特性：

• 截止频率 >1 GHz
• 能耗低于2 pJ/ bit
• 大规模并行短距离光I/O路径

这些特性直击现代AI计算架构中日益凸显的互连瓶颈，即数据迁移正逐渐主导系统功耗预算。

经验证的光通信微发射器芯片技术

艾迈斯欧司朗的微型LED技术领导力源于EVIYOS™，这是全球首款量产车规级微发射器阵列。该方案在紧凑封装中集成25,600个独立可寻址像素（单像素宽度约为人发直径之半）及CMOS驱动芯片。此项突破性的微型LED-CMOS集成设计作为数字光电典范，凭借“数字光”技术创新斩获德国未来奖，不仅奠定公司工业级量产能力，更在量产车型中展现出卓越可靠性。

该核心技术现已成为面向AI服务器及机架级通信的光I/O组件开发基础。

经验证的光通信微发射器芯片技术

在光互连应用中，其制造工艺与汽车矩阵发射器芯片类似，但亦存在关键差异。​​​​​EVIYOS™采用单片阵列，而数据中心应用使用分立式微型LED。这些发射器芯片经晶圆切割后装配于基板，使每个器件均可耦合至多通道光纤线缆中的独立光纤通道。该基板随后可集成至目标CMOS晶圆实现系统整合。

基于微型LED的收发器凭借极小的物理尺寸，可实现超高带宽密度。单个发射器芯片在10米全链路范围内，每通道数据速率≥3.0 Gbit/s且能耗低于2 pJ/ bit，同时满足低于10⁻¹⁵的工业级误码率规范。

采用slow-and-wide架构，以数百条并行通道替代单一超高速线路，为AI基础设施带来多重优势：

• 可靠性 – 基于微型LED的光互连系统可集成冗余通道，实现故障发射器芯片的性能平缓退化与快速更换
• 能效性 – 相较于互联网骨干网常用的超高频激光发射器，slow-and-wide架构显著降低功耗。更低功耗同时减少发热，为数据中心运营商提供宝贵热余量
• 简洁性 – 基于微型LED的互连具备天然并行特性，消除了fast and narrow架构所需的复杂且高成本的序列化/反序列化步骤

了解更多信息，请访问：《MicroLED创新动态——从汽车前照灯到数据中心》| 艾迈斯欧司朗

从原型迈向产品开发阶段

EVIYOS™基础技术已成功适配数据通信市场需求，艾迈斯欧司朗正快速推进产品开发进程，此举完全契合2026年2月5日公布的数字光电技术战略。